Комплектующие:
Модули памяти DDR3
Рынок компьютерных комплектующих характеризуется тенденцией к постоянному росту и развитию. Так, модули динамической памяти DDR3, представляющие собой третье поколение памяти SDRAM, появились на рынке на смену своим предшественникам в июле 2005 года.
Технологии, использованные в DDR3, позволяет получить наибольшую пропускную способность системы в сравнении памятью предыдущих поколений. Однако в большинстве обычных компьютерных программ эффективность использования DDR3 отличается от моделей предыдущего поколения не более, чем на 2%. Последние модули памяти DDR3, в основном, привлекают внимание геймеров и профессионалов, использующих ресурсоёмкие графические приложения.
Высокая скорость передачи данных позволяет использовать модули памяти DDR3 при комплектации мощных современных компьютеров на базе высокопроизводительных процессоров.
читать дальше
Популярности
Количеству продавцов
Цене
Сортировать по:
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 2 Гб; Тип памяти: DDR3; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9;
подробнее>
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 4 Гб; Тип памяти: DDR3; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9;
подробнее>
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 4 Гб; Тип памяти: DDR3; Напряжение питания: 1.5 В; Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка; CAS Latency (CL): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9; RAS to CAS Delay (tRCD): 9;
подробнее>
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 2 модуля по 2 Гб; Тип памяти: DDR3; Радиатор: есть; Напряжение питания: 1.65 В; CAS Latency (CL): 8; Row Precharge Delay (tRP): 8; Activate to Precharge Delay (tRAS): 24; RAS to CAS Delay (tRCD): 8;
подробнее>
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 2 Гб; Тип памяти: DDR3; Напряжение питания: 1.5 В; Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка; CAS Latency (CL): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9; RAS to CAS Delay (tRCD): 9;
подробнее>
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Тип памяти: DDR3; Радиатор: есть; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9; Activate to Precharge Delay (tRAS): 24; RAS to CAS Delay (tRCD): 9;
подробнее>
Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1333 МГц; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 1 Гб; Тип памяти: DDR3; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9;
подробнее>
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Тип памяти: DDR3; Напряжение питания: 1.5 В; Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка; CAS Latency (CL): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9; RAS to CAS Delay (tRCD): 9;
подробнее>
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 1 Гб; Тип памяти: DDR3; CAS Latency (CL): 9;
подробнее>
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1333 МГц; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 4 Гб; Тип памяти: DDR3; Радиатор: есть; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9; Activate to Precharge Delay (tRAS): 24; RAS to CAS Delay (tRCD): 9;
подробнее>
