Ком­плек­ту­ю­щие:
Модули памяти DDR

Модули памяти DDR пришли на смену типу запоминающих устройств SDRAM. Коммерческое производство чипов DDR началось в середине 1999 года.

Модуль памяти состоит их нескольких одинаковых и одного конфигурационного чипа. Технические характеристики DDR включают объем модуля (суммарный объем чипов), количество чипов, количество ранков (строк), вид таймингов. В зависимости от спецификации устройства, тактовая частота шины памяти DDR составляет от 100 до 267 МГц. Теоретическая пропускная способность достигает 8533 Мбайт/сек при работе в двухканальном режиме.

При комплектации компьютера рекомендуется использовать модули памяти DDR с одинаковой частотой, объемом и таймингами. На сегодняшний день крупные разработчики продолжают выпускать модули памяти DDR, как доступный вариант с приемлемой производительностью.

читать дальше
Популярности
Количеству продавцов
Цене
Сортировать по:
Комплектующие  Модули памяти
Форм-фактор: DIMM 184-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 400 МГц; Пропускная способность: 3200 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 1 Гб; Тип памяти: DDR; Напряжение питания: 2.5 В;     подробнее>
Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 400 МГц; Пропускная способность: 3200 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 1 Гб; Тип памяти: DDR; Напряжение питания: 2.5 В; CAS Latency (CL): 3;     подробнее>
Форм-фактор: DIMM 184-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 400 МГц; Пропускная способность: 3200 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 1 Гб; Тип памяти: DDR; Напряжение питания: 2.6 В; Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка; CAS Latency (CL): 3;     подробнее>
Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 400 МГц; Пропускная способность: 3200 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 512 Мб; Тип памяти: DDR; Напряжение питания: 2.5 В; CAS Latency (CL): 3;     подробнее>
Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 400 МГц; Пропускная способность: 3200 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 512 Мб; Тип памяти: DDR;     подробнее>
Форм-фактор: DIMM; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 400 МГц; Пропускная способность: 3200 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 1 Гб; Тип памяти: DDR;     подробнее>
Форм-фактор: DIMM 184-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 400 МГц; Пропускная способность: 3200 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 1 Гб; Тип памяти: DDR; Совместимость: Intel D865GBF Motherboard; Напряжение питания: 2.6 В; CAS Latency (CL): 3;     подробнее>
Форм-фактор: DIMM; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 400 МГц; Пропускная способность: 3200 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 1 Гб; Тип памяти: DDR;     подробнее>
Форм-фактор: DIMM 184-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 400 МГц; Пропускная способность: 3200 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 1 Гб; Тип памяти: DDR;     подробнее>
Форм-фактор: DIMM 184-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 400 МГц; Пропускная способность: 3200 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 512 Мб; Тип памяти: DDR; Напряжение питания: 2.6 В; CAS Latency (CL): 3;     подробнее>
Цена от:
до:
Производитель:













Тип:
Форм-фактор:



Объем одного модуля:
Тактовая частота:
Количество контактов:
очистить
Все права © 2008-2012 Comp.by