Ком­плек­ту­ю­щие:
Память Hynix

Hynix Semiconductor Inc. известна как лидирующий производитель чипов памяти (занимает второе место в мире в данном сегменте). Основана компания была в 1983 году. В 1986 году была создана исследовательская лаборатория, в которой специалисты компании занимались разработками в области полупроводников.

Официальные представительства Hynix находятся в США, Европе, Юго-восточной Азии. Благодаря узкой специализации компания достигла высочайшего качества в производстве модулей оперативной памяти. Новинки Hynix созданы с использованием технологий будущего. Оперативная память Hynix используется при комплектации компьютеров различных уровней сложности. Продукция торговой марки Hynix характеризуется отличной производительностью, высоким уровнем надежности и совместимости. Память Hynix – это оптимальное соотношение цены и качества.

читать дальше
Популярности
Количеству продавцов
Цене
Сортировать по:
Комплектующие  Модули памяти
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 2 Гб; Тип памяти: DDR2; Напряжение питания: 1.8 В;     подробнее>
Форм-фактор: DIMM 184-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 400 МГц; Пропускная способность: 3200 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 1 Гб; Тип памяти: DDR; Напряжение питания: 2.5 В;     подробнее>
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1333 МГц; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 2 Гб; Тип памяти: DDR3; Напряжение питания: 1.5 В;     подробнее>
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 1 Гб; Тип памяти: DDR2; Напряжение питания: 1.8 В;     подробнее>
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1333 МГц; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 1 Гб; Тип памяти: DDR3; Напряжение питания: 1.5 В;     подробнее>
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1333 МГц; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 4 Гб; Тип памяти: DDR3; Напряжение питания: 1.5 В; Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка;     подробнее>
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): да; Поддержка ECC: есть; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 2 Гб; Тип памяти: DDR3; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 1; CAS Latency (CL): 9;     подробнее>
Цена от:
до:
Производитель:













Тип:
Форм-фактор:



Объем одного модуля:
Тактовая частота:
Количество контактов:
очистить
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Crtl →
Все права © 2008-2012 Comp.by