Ком­плек­ту­ю­щие:
Память Kingmax

Корпорация Kingmax Semiconductor Inc. входит в состав тайваньской группы компаний Kingmax Group. Этот производитель специализируется на выпуске флеш-памяти, а также модулей памяти для настольных компьютеров, ноутбуков, серверов.

Компания Kingmax была основана в 1989 году. На сегодняшний день она уверенно удерживает позиции на высоконкурентном рынке модулей оперативной памяти. Специалисты компании имеют большой опыт в данном сегменте. В свое время известное детище Kingmax – модуль памяти Tiny BGA стал настоящим открытием на рынке информационных технологий.

Оперативная память Kingmax удостоена ряда международных наград за стабильно высокой качество и инновационные разработки компании. За время своего существования Kingmax зарегистрировала более 200 патентов на свои новшества. Память Kingmax обладает полным набором характеристик, отвечающих требованиям современного пользователя.

читать дальше
Популярности
Количеству продавцов
Цене
Сортировать по:
Комплектующие  Модули памяти
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 2 Гб; Тип памяти: DDR2; Напряжение питания: 1.8 В;     подробнее>
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10666 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 2 Гб; Тип памяти: DDR3; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9; RAS to CAS Delay (tRCD): 9;     подробнее>
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10666 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 4 Гб; Тип памяти: DDR3; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9; RAS to CAS Delay (tRCD): 9;     подробнее>
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 1 Гб; Тип памяти: DDR2; Напряжение питания: 1.8 В; CAS Latency (CL): 5; Row Precharge Delay (tRP): 5; Activate to Precharge Delay (tRAS): 15; RAS to CAS Delay (tRCD): 5;     подробнее>
Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 1 Гб; Тип памяти: DDR2; Напряжение питания: 1.8 В; CAS Latency (CL): 5; Row Precharge Delay (tRP): 5; RAS to CAS Delay (tRCD): 5;     подробнее>
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10666 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 1 Гб; Тип памяти: DDR3; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9; RAS to CAS Delay (tRCD): 9;     подробнее>
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 2000 МГц; Пропускная способность: 16000 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 2 Гб; Тип памяти: DDR3; Радиатор: есть; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9;     подробнее>
Цена от:
до:
Производитель:













Тип:
Форм-фактор:



Объем одного модуля:
Тактовая частота:
Количество контактов:
очистить
1 2 3 4 5 6 7 Crtl →
Все права © 2008-2012 Comp.by