Комплектующие:
Память Kingston
История американской компании Kingston начинается в 1987 году. Центральный офис компании располагается в Калифорнии, более 4 000 человек работает в представительствах компании по всему миру.
В 1998 году продукция Kingston получила международные сертификаты менеджмента качества ISO 9001. В 2007 году эта компания была объявлена наиболее быстроразвивающимся брендом США. К 2005 году в Китае компанией Kingston были введены в действие самые крупные в мире производственные мощности по выпуску модулей памяти.
Наиболее известным продуктом компании является оперативная память Kingston. Устройства этой торговой марки составляют основу продукции многих мировых производителей. Оперативная память Kingston - это, прежде всего, широкий модельный ряд, гарантия высокого качества. Модули памяти Kingston являются визитной карточкой компании.
читать дальше
Популярности
Количеству продавцов
Цене
Сортировать по:
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 2 Гб; Тип памяти: DDR3; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9;
подробнее>
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 4 Гб; Тип памяти: DDR3; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9;
подробнее>
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 2 Гб; Тип памяти: DDR3; Напряжение питания: 1.5 В; Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка; CAS Latency (CL): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9; RAS to CAS Delay (tRCD): 9;
подробнее>
Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1333 МГц; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 1 Гб; Тип памяти: DDR3; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9;
подробнее>
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Тип памяти: DDR3; Напряжение питания: 1.5 В; Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка; CAS Latency (CL): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9; RAS to CAS Delay (tRCD): 9;
подробнее>
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 1 Гб; Тип памяти: DDR3; CAS Latency (CL): 9;
подробнее>
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 2 модуля по 2 Гб; Тип памяти: DDR3; Радиатор: есть; Напряжение питания: 1.65 В; Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка; CAS Latency (CL): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9;
подробнее>
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 2 модуля по 2 Гб; Тип памяти: DDR3; Радиатор: есть; Напряжение питания: 1.35 В; CAS Latency (CL): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9; Activate to Precharge Delay (tRAS): 27; RAS to CAS Delay (tRCD): 9;
подробнее>
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Тип памяти: DDR3; Радиатор: есть; Напряжение питания: 1.65 В; Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка; CAS Latency (CL): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9;
подробнее>
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 2 Гб; Тип памяти: DDR3; Радиатор: есть; Напряжение питания: 1.65 В; Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка; CAS Latency (CL): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9;
подробнее>
