Комплектующие:
Память Corsair
Американская компания Corsair Memory была создана 1994 году. Торговая марка Corsair является одним из лидеров на рынке компьютерных модулей памяти. Кроме того, компания Corsair производит блоки питания, системы охлаждения и другие компьютерные комплектующие.
Благодаря большому опыту и развитому научно-техническому потенциалу компания известна своими уникальными разработками в данном сегменте. Оперативная память Corsair обладает высокими скоростными характеристиками, продукты компании отличаются исключительным качеством и надежностью.
В числе стратегических партнеров Corsair значатся такие лидеры IT-индустрии как HP, Dell и др. Память Corsair представлена в трех основных продуктовых сериях: Dominator, Value Select и XMS. Устройства, выпускаемые под этим брендом, становятся частью высокопроизводительных, скоростных систем.
читать дальше
Популярности
Количеству продавцов
Цене
Сортировать по:
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 2 модуля по 2 Гб; Тип памяти: DDR3; Радиатор: есть; Напряжение питания: 1.65 В; CAS Latency (CL): 8; Row Precharge Delay (tRP): 8; Activate to Precharge Delay (tRAS): 24; RAS to CAS Delay (tRCD): 8;
подробнее>
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Тип памяти: DDR3; Радиатор: есть; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9; Activate to Precharge Delay (tRAS): 24; RAS to CAS Delay (tRCD): 9;
подробнее>
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1333 МГц; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 4 Гб; Тип памяти: DDR3; Радиатор: есть; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9; Activate to Precharge Delay (tRAS): 24; RAS to CAS Delay (tRCD): 9;
подробнее>
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 2 модуля по 2 Гб; Тип памяти: DDR3; Радиатор: есть; Напряжение питания: 1.65 В; CAS Latency (CL): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9; Activate to Precharge Delay (tRAS): 24; RAS to CAS Delay (tRCD): 9;
подробнее>
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 4 модуля по 2 Гб; Тип памяти: DDR3; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9; Activate to Precharge Delay (tRAS): 24; RAS to CAS Delay (tRCD): 9;
подробнее>
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 2 модуля по 2 Гб; Тип памяти: DDR3; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9; RAS to CAS Delay (tRCD): 9;
подробнее>
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 2 модуля по 2 Гб; Тип памяти: DDR3; Радиатор: есть; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9; Activate to Precharge Delay (tRAS): 24; RAS to CAS Delay (tRCD): 9;
подробнее>
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 2 модуля по 2 Гб; Тип памяти: DDR3; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9; Activate to Precharge Delay (tRAS): 24; RAS to CAS Delay (tRCD): 9;
подробнее>
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1866 МГц; Пропускная способность: 15000 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Тип памяти: DDR3; Радиатор: есть; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9; Activate to Precharge Delay (tRAS): 27; RAS to CAS Delay (tRCD): 10;
подробнее>
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Тип памяти: DDR3; Радиатор: есть; Напряжение питания: 1.65 В; CAS Latency (CL): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9; Activate to Precharge Delay (tRAS): 24; RAS to CAS Delay (tRCD): 9;
подробнее>
