Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 4 Гб; Тип памяти: DDR3; Радиатор: есть; Напряжение питания: 1.65 В; Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка; CAS Latency (CL): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9;     подробнее>

Форм-фактор: FB-DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): да; Поддержка ECC: есть; Тактовая частота: 667 МГц; Пропускная способность: 5300 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 4 Гб; Тип памяти: DDR2; Радиатор: есть; Напряжение питания: 1.8 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 36, двусторонняя упаковка; CAS Latency (CL): 5;     подробнее>

Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10666 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 2 модуля по 2 Гб; Тип памяти: DDR3; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9; Activate to Precharge Delay (tRAS): 24; RAS to CAS Delay (tRCD): 9;     подробнее>

Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Тип памяти: DDR3; Радиатор: есть; Напряжение питания: 1.65 В; CAS Latency (CL): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9; Activate to Precharge Delay (tRAS): 24; RAS to CAS Delay (tRCD): 9;     подробнее>

Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 2 модуля по 2 Гб; Тип памяти: DDR2; Радиатор: есть; Напряжение питания: 1.95 В; Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка; CAS Latency (CL): 4; Row Precharge Delay (tRP): 4;     подробнее>

Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 2 модуля по 2 Гб; Тип памяти: DDR3; Радиатор: есть; Напряжение питания: 1.65 В; Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка; CAS Latency (CL): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9;     подробнее>

Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Тип памяти: DDR3; Радиатор: есть; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 8; Row Precharge Delay (tRP): 8; Activate to Precharge Delay (tRAS): 24; RAS to CAS Delay (tRCD): 8;     подробнее>

Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Тип памяти: DDR3; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9; Activate to Precharge Delay (tRAS): 24; RAS to CAS Delay (tRCD): 9;     подробнее>

Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1066 МГц; Пропускная способность: 8500 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 2 Гб; Тип памяти: DDR2; Радиатор: есть; Напряжение питания: 2.2 В; Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка; CAS Latency (CL): 5; Row Precharge Delay (tRP): 5;     подробнее>

Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 2 Гб; Тип памяти: DDR2; Напряжение питания: 1.8 В; CAS Latency (CL): 6;     подробнее>